减肥大胃王
导体和半导体区别是：
通俗的说：金属作为导体是没有禁带这一说的，电子可以随意的在其中传输。但半导体不同，本身有一个势垒，电子必须要吸收能量后才能在其中传输。半金属是说它是一种半导体，但势垒很小，电子很容易就可以被激发。
打个不恰当的比方，想象电子是个球，往前运动。金属就是一个平地，半导体是个高台，绝缘体是这个高台顶天了，半金属是这个高台只有薄薄的一层。二者的区别还是来自于能带结构的不同。根据能带理论。
根据价带与导带之间的间隔从窄到宽，固体可以依次分为金属、半金属、半导体和绝缘体。对于半导体和绝缘体，导带和价带之间的间隔相对较大，使得费米能级附近电子的态密度等于零，称为带隙。先说半导体。
这个概念没什么疑议，即价带和导带之间存在带隙，一般在1～3eV，通过热激发或者施加外电场可以使电子从价带跃迁至导带。半金属，在英文中对应两个侧重点不同的词，semimetal和half-metal。
半金属（semimetal）是指价带和导带之间相隔很窄的材料。由于导带和价带之间的间隔十分小，使得费米能级附近电子的态密度接近于零。半金属（half-metal）是指对于自旋为某一方向的电子表现为导体。
但是对于自旋为另一方向的电子表现为半导体或绝缘体的材料。所有半金属都是铁磁性或亚铁磁性的，但是大多数铁磁性或亚铁磁性的材料都不是半金属。许多已知的半金属都属于氧化物、硫化物或赫斯勒合金。
有人建议把half-metal翻译成“半极性金属”（或“半极金属”）以示与semimetal的区别，但文献中大多依旧两种都称作半金属。传张能带图，有助于理解。
变猪猪911
拓扑量是描述整个流形空间的一个数学量。因此拓扑态是一个整体态，局域的改变并不会影响整体性质。 然而流形空间是可以有对称性的，在对称性下，流形空间可以劈裂成子流形空间，子流形空间之间由对称性来连接。在这个有对称性结构的流形空间中，也一样可以定义拓扑数。然而这个拓扑数就和对称性挂上勾了。 如果没了这个对称性，那么这个拓扑数就不能被定义。所以逻辑是这样子的：拓扑保护可以不依赖于对称性；然而如果这个拓扑数是在对称性下定义出来的，那么这个拓扑保护是对称性依赖的。因此拓扑保护分为两类，一类是不依赖于任何对称性的，一类是依赖于对称性的。教科书中常见的量子霍尔效应以及最新发现的量子反常霍尔效应都属于这一类，当然Weyl 半金属的出现也可以不需要任何对称性。 其它诸如拓扑绝缘体，Dirac 半金属等都是在特定对称性下受拓扑保护的。 如果你有一个新的物质态，首先问自己，是不是受对称性保护的，然后再问自己是不是有拓扑非平庸的拓扑数。以Bi2Se3举例子，Bi2Se3是强的Z2拓扑绝缘体。Z2数是在时间反演对称性下定义出来的，因此我们可以说Bi2Se3的Z2拓扑性是受时间反演所保护的，如果破坏了时间反演，那么这个Z2拓扑就会被破坏。 然而如果时间反演对称性没有被破坏，那么接下来的一些如表面态性质就是受拓扑保护了。 但是你说是不是有了时间反演，Bi2Se3就一定是拓扑绝缘体，那么肯定是不对的。从这个角度上来看，Bi2Se3会成为拓扑绝缘体，纯粹是偶然的（accidental）。
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