好好在一起吧
IC Integrated Circuit 缩写，集成电路 ICDS IC Design Service 缩写，芯片设计服务 IP Intellectual Property 缩写, 知识产权，在芯片设计中指对某种设计技术的专利SoC System on Chip缩写, 指单芯片系统设计，是当今混合信号IC设计的趋势 ASIC Application Special Integrated Circuit缩写, 指专用集成电路 VLSI Very Large Scale Integrated circuit 缩写, 指超大规模集成电路 DSP Digital Signal Processing 缩写, 指数字信号处理 RF Radiation Frequency 缩写, 指发射频率，简称射频 FPGA Field Programmable Gate Array缩写, 指现场可编程门阵列 CPLD Complex Programmable Logic Device, 即复杂可编程器件。 FE Front End 缩写, 前端，通常指IC设计中的前道逻辑设计阶段，并不是规范化用法 BE Back End 缩写, 后端，通常指IC设计中的后道布局布线(Layout)阶段，并不是规范化用法 MPW Multiple Project Wafer缩写, 多项目晶圆投片，指在同一种工艺的不同芯片放在同一块晶圆(Wafer)上流片，是小公司节省成本的有效手段 EDA Electronic Design Automation缩写,电子设计自动化，现在IC设计中用EDA 软件工具实现布线，布局VHDL VHSIC(Very High Speed IC) Hardware Description Language 缩写, 硬件描述语言，用于实现电路逻辑设计的专用计算机语言 RTL Register Transformation Level 缩写, 寄存器传输级 Netlist 门级网表，一般是RTL Code经过综合工具综合而生成的网表文件 Foundry 指芯片制造加工厂的代工业务，负责将设计完成的芯片生产出来 DFT Design For Test 缩写, 为了增强芯片的可测性而采用的一种设计方法 STA Static Timing Analysis缩写, 即静态时序分析 CAD Computer Aided Design缩写, 即计算机辅助设计 NRE Non Recurring Engineering缩写,不反复出现的工程成本 BIST Build in system test, 即内建测试系统 ASSP Application-specific standard product 缩写,一种有着广泛应用范围的ASIC芯片 RISC Reduced Instruction Set Computer缩写, 精简指令集计算机LVS Layout versus Schematic 缩写，是在IC Design经过Layout后检查其版图与门级电路是否一致 DRC Design Rule Check缩写, 是在IC Design经过Layout后检查其版图是否符合设计规则 ERC Electronic Rule Check缩写, 是在IC Design经过Layout后检查其版图是否符合电气规则 OPC Optical and Process Correction缩写，即光刻工艺修正 ATPG Auto Test Pattern Generator缩写, 是一个测试向量自动生成工具，生成的测试向量会给测试厂作测试芯片用 LVDS Low Voltage Differential Signaling缩写, 是一种低摆幅的差分信号技术，它使得信号能在差分PCB线对或平衡电缆上以几百Mbps的速率传输，其低压幅和低电流驱动输出实现了低噪声和低功耗 ADC Analog to Digital Convert缩写, 一般用作模拟信号到数字信号的转换电路 DAC Digital to Analog Convert缩写, 一般用作数字信号到模拟信号的转换电路PLL Phase Locked Loop缩写, 一般用作时钟倍频电路
于海丽888
电阻可以说是电路工程中最常用的电子元器件，用R表示，表征导体对电流的阻碍作用。在电路中的作用主要是分流、限流、分压、偏置等。
电阻的参数识别：常用的是色标法、值标法和数标法。
常用的是色标法，带有四个色环的其中第一、二环分别代表阻值的前两位数；第三环代表倍率；第四环代表误差。比如说，当四个色环依次是黄、橙、红、金色时，因第三环为红色、阻值范围是几点几kΩ的，按照黄、橙两色分别代表的数”4″和”3″代入，则其读数为4.3 kΩ。
电容在电路中用来储存电荷和电能，用C表示，电容的主要特性是通交流隔直流，电容对交流电的阻碍叫做容抗，是电抗的一种（还有一种叫做感抗），容抗的大小与交流电的频率和自身容量有关。电容器在电路中的作用主要是：耦合、滤波、谐振、旁路、补偿、分频等。
电容器的参数表示也有直标法、文字和符号组合法、以及色标法。
其型号由四部分组成，当然这不适用于压敏、可变、真空电容器，依次分别代表名称、材料、分类和序号。
电容器的分类较为复杂，据目前的统计分析，有10种分类方法，具体的可参见器件手册。
晶体二极管是一种半导体器件，具有非线性的伏安特性，用D表示，主要作用是单向导电性。核心部分是一块PN结，广泛应用于各种电子电路中。其类型很多，按照材料有硅管和锗管之分；按照功能，有整流、发光、检波、稳压、开关、续流、旋转、肖特基二极管和硅功率二极管等。按照结构有点接触型和平面型之分，前者可以通过小电流、后者通过大电流。
二极管的主要参数有最大整流电流IF、最高反向工作电压、反向电流、动态电阻、最高工作频率、电压温度系数等。
二极管的正负二个端子，正端A称为阳极，负端K称为阴极，电流只能从阳极向阴极方向移动。很多初学者讲二极管和半导体混为一谈，其实二极管和半导体是完全不同的，只能说二极管是一种半导体器件。
二极管的识别问题：小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
将电能转化为磁能存储起来的器件，其结构与变压器类似，电感器又称扼流器、电抗器、动态电抗器，用L表示。
分类：按照感应方式有自感和互感之分。小电感能直接蚀刻在PCB板上，用一种铺设螺旋轨迹的方法。小值电感也可用以制造晶体管同样的工艺制造在集成电路中。不管用何种方法，基于实际的约束应用最多的还是一种叫做“旋转子”的电路，它用一个电容和主动元件表现出与电感元件相同的特性。
电感器与电容器的特性正好相反，它具有阻止交流电通过而让直流电顺利通过的特性，叫做通直阻交。
电感器在电路中主要起到滤波、振荡、延迟、陷波等作用，还有筛选信号、过滤噪声、稳定电流及抑制电磁波干扰等作用。最常见的作用就是和电容一起组成LC滤波器。
电感的主要参数包括：电感量、允许误差、品质因数以及分布电容等。
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
主要参数包括特征频率FT，电压电流、放大倍数、饱和电压、耗散功率等。
三极管可以工作于截止、放大和导通三个状态。三极管最常用就是组成放大电路，基本放大电路是放大电路中最基本的结构，是构成复杂放大电路的基本单元。它利用双极型半导体三极管输入电流控制输出电流的特性，或场效应半导体三极管输入电压控制输出电流的特性，实现信号的放大。在放大时，要有合适的偏置，也就是说发射结正偏，集电结反偏。输入回路的设置应当使输入信号耦合到三极管的输入电极，形成变化的基极电流，从而产生三极管的电流控制关系，变成集电极电流的变化。而输出回路的设置应该保证将三极管放大以后的电流信号转变成负载需要的电量形式。
小黑妈跃跃
The role of transistor Transistor, is one of the most common basic components, the role of main transistor current amplification, he is the heart of electronic circuit components, are essential components of large scale integrated circuit is transistor. Transistors are the basic institutions of a semiconductor substrate in the production of the two in close proximity of the PN junction, the two blocks of semiconductor PN junction is divided into three parts, the middle part of the base area, on both sides of part of the emitter and collector areas, arrangement of There are two PNP and NPN, from the corresponding electrode leads the three areas, namely e base emitter and collector b c. Between the emitter and the base region of the PN junction is called the emitter, collector and base region of the PN junction between the collector called. Very thin base region, while the emitter thick, impurity concentration of large, PNP-type transistor emitter "launch" the hole, its moving direction and current direction, and therefore the arrow to where the emitter; NPN-type transistor emitter "launch "is the free electron, its moving direction and current in the opposite direction, so the emitter arrow out. Emitter arrow out. Arrow points to the emitter PN junction in forward voltage is under the direction of conduction. Silicon germanium transistor and PNP transistor has two types of type and NPN type. Transistor is a control element, the role of very large transistors, can be said that without the invention of the transistor is not the modern information society so diverse, tubes, his predecessor, but the size of a large tube enormous power, has now been eliminated. Transistor size is mainly used to control current to total emitter Connection Example (signal from the base input, the output from the collector, emitter grounded), when the base voltage UB has a small change, base current IB will follow a small change, subject to the control of base current IB, the collector current IC will be a great change, the greater the base current IB, the greater the collector current IC, whereas the more base current small, the collector current is also smaller, which control the base current the collector current changes. However, changes in the collector current changes than the base current is much greater, and this is the current amplification transistor. Just said is the transistor current amplification effect, and its essence is the transistor base current can change slightly to control the volume of the larger collector current variation. This is the most basic and most important transistor characteristics. We will ΔIc / ΔIb as the ratio of current amplification transistor, with symbol "β" said. Current amplification factor for a transistor is only a fixed value, but with the transistor's base current when the work of change there will be some modifications. According to our analysis of the role of transistors it can become weak signal strength of the signal must, of course, continue to follow the conversion of energy conservation, it is only the power of the signal energy into the energy Bale. An important parameter is the transistor current amplification factor β. When the transistor's base, adding a small current, the collector can get a current is injected into the current β-fold, that the collector current. Collector current with base current of change, and small changes in base current can cause large changes in collector current, which is the transistor's amplification. The role of transistor switches are electronic, with the other components also constitute the oscillator, in addition to the role of regulator transistor there. 【译文】晶体三极管的作用晶体三极管，是最常用的基本元器件之一，晶体三极管的作用主要是电流放大，他是电子电路的核心元件，现在的大规模集成电路的基本组成部分也就是晶体三极管。 三极管基本机构是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种， 从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。 三极管是一种控制元件，三极管的作用非常的大，可以说没有三极管的发明就没有现代信息社会的如此多样化，电子管是他的前身，但是电子管体积大耗电量巨大，现在已经被淘汰。三极管主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的电流放大作用。 刚才说了电流放大是晶体三极管的作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。根据三极管的作用我们分析它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。三极管的作用还有电子开关，配合其它元件还可以构成振荡器，此外三极管还有稳压的作用。
