电晶体样品英文

以金属-氧化物-半导体（MOS）场效应晶体管为主要元件构成的集成电路 。简称MOSIC 。1964年研究出绝缘栅场效应晶体管。直到1968年解决了MOS器件的稳定性，MOSIC得到迅速发展。与双极型集成电路相比，MOSIC具有以下优点：①制造结构简单，隔离方便。②电路尺寸小、功耗低适于高密度集成。③MOS管为双向器件，设计灵活性高。④具有动态工作独特的能力。⑤温度特性好。其缺点是速度较低、驱动能力较弱。一般认为MOS集成电路功耗低、集成度高，宜用作数字集成电路；双极型集成电路则适用作高速数字和模拟电路。 按晶体管的沟道导电类型，可分为P沟MOSIC、N沟MOSIC以及将P沟和N沟MOS晶体管结合成一个电路单元的互补MOSIC，分别称为PMOS 、NMOS和CMOS集成电路。随着工艺技术的发展，CMOS集成电路已成为集成电路的主流，工艺也日趋完善和复杂 ，由P阱或N阱CMOS发展到双阱CMOS工艺。80年代又出现了集双极型电路和互补金 属-氧化物-半导体（CMOS）电路优点的BiCMOS集成电路结构。按栅极材料可分为铅栅、硅栅、硅化物栅和难熔金属（如钼、钨）栅等MOSIC，栅极尺寸已由微米进入亚微米（0.5～1微米）和强亚微米（0.5微米以下）量级 。此外，还发展了不同的MOS集成电路结构的MOSIC：如浮栅雪崩注入MOS（FAMOS）结构，用于可擦写只读存贮器；扩散自对准MOS（DMOS）结构和V型槽MOS结构等，可满足高速、高电压要求。近年来发展了以蓝宝石为绝缘衬底的CMOS结构，具有抗辐照、功耗低和速度快等优点。MOSIC广泛用于计算机、通信、机电仪器、家电自动化、航空航天等领域，可使整机体积缩小、工作速度快、功能复杂、可靠性高、功耗低和成本便宜等。

散热片 Heat Sink电晶体 Electric crystal 萧特基 Schottky

应该是一个英文缩写，以下都有可能： ED = Erectile Dysfunction: 勃起功能障碍，也称阳痿， 医学用语，指男子在性交时阴茎无法勃起或无法持续到射精。 ED = Department of Education，美国教育部。 ED = Emergency Department，医院的急诊部门。 ED= ElectroDialysis，电渗析的简称。 Ed = Edward，名字Edward的简称或昵称。 ED = Ending Theme，片尾曲，影视业术语，泛指在影视作品（如电视剧，动画片等）正片之后播出的带有人声的歌曲 ED=人名 Edward ED = Estimate Departure time，飞机的预计起飞时间，民航专业术语。 ED = Emule Download，电驴下载，一种速度快、效率高、但又十分伤硬盘的网络点对点下载工具，通常用来下载容量较大的视频文件或文档。 ED = Eiyuu Densetsu，英雄传说系列是日本Falcom公司的角色扮演游戏。 ED = Early Decision，提前录取，美国大学录取方式之一，意为具有约束力的提前录取，美国大学录取共有三种形式，分别为ED(Early Decision具有约束力的提前录取)、EA(不具约束力的提前录取Early Action)和RD(Regular Decision常规录取)。 ED = Extra-low Dispersion，超低色散镜片，指这支镜头内含 ED 镜片，最大限度降低镜头色差（chromatic aberration），从而保证镜头有优异的光学表现。代表镜头：80-200mm f/2.8D ED AF Zoom-Nikkor ED = price elasticity of demand，需求弹性，表示和衡量某一商品的需求量对它本身的价格变化的反应程度。 ED = Electric diffraction，电子衍射，采用波长小于或接近于其点阵常数的电子束照射晶体样品，由于入射电子与晶体内周期地规则排列的原子的交互作用，晶体将作为二维或三维光栅产生衍射效应，根据由此获得的衍射花样研究晶体结构的技术。 ED = The University of Edinburgh，爱丁堡大学。 ED= 英雄传说（日文：英雄伝说，えいゆうでんせつ，EiyuuDensetsu。英文：the Legend ofHeroes），该游戏是日本Falcom公司的角色扮演游戏，一般简称为英传或ED。