英语单词正规写法

英语本子的格子为四线三格（即一行），大小写字母尽可能左右均匀书写，看清楚每个字母是如何占据格子的，字书写过程中注意大小写字母的格式和书写是不同的，也要注意上下对齐。

大写字母全部占上两个格，（如果是横线，就是横线上面）；小写字母一般占中间一格。

扩展资料：

单词记忆算法：

背单词记忆算法的特点是结合权威的记忆理论，充分调动用户的眼、耳、口和手等各种感官，根据用户的实际情况和使用环境智能确定内容和方法，根据用户的使用情况进行动态调整。

单词的记忆算法设计的宗旨是以最大限度的计算机资源耗费取代学习者的精力耗费。

单词的记忆算法基于两个比较成熟的记忆理论或算法，一个是艾宾浩斯遗忘曲线理论，另一个是Super Memo记忆算法。艾宾浩斯遗忘曲线理论在1885年提出，通过大量数据，证实了人的记忆存在着一个相似的遗忘规律。

而Super Memo算法作者则从1985年开始研究，在长时间和海量的数据基础上，总结出了Super Memo算法。该算法至今还在研究，在差不多20年的时间里已发展成为世界上最科学最有效的记忆算法之一。

参考资料来源：百度百科-字母表

参考资料来源：百度百科-英语单词

参考资料来源：百度百科-字母

A：字母大写时占上、中两格，倾斜10度左右，小写字母a在中格。B：字母大写时占上、中两格，小写字母b占上、中两格。C：字母大写时占上、中两格，且倾斜10度左右，小写字母c在中格。D：字母大写时占上、中两格，且倾斜10度左右，小写字母d占上、中两格，且上端必须顶第一线，下端必须顶第三线，不许离线也不许出格。E：字母大写时占上、中两格，且倾斜10度左右，小写字母e在中格。F：字母大写时占上、中两格，小写字母f的上端稍离第一线（和大写字母一样），下端紧贴第四线，短横重合第二线。G：字母大写时占上、中两格，且倾斜10度左右，小写字母g在中、下两格。H：字母大写时占上、中两格，且倾斜10度左右，小写字母h占上、中两格。I：字母大写时占上、中两格，且倾斜10度左右，小写字母i的小圆点在第一格中间稍偏下处。J：字母大写时占上、中两格，小写字母jj的小圆点与i的小圆点位置相同，下面一笔的上端顶第二线，下端紧贴第四线。K：字母大写时占上、中两格，且倾斜10度左右，小写字母k的收笔处是圆钩，不可写成尖钩或竖弯钩。L：字母大写时占上、中两格，且倾斜10度左右，小写字母l的收笔处是圆钩，不可写成尖钩或竖弯钩。M：字母大写时占上、中两格，且倾斜10度左右，小写字母m在中格。N：字母大写时占上、中两格，小写字母n占中格。O：字母大写时占上、中两格，且倾斜10度左右，小写字母o在中格。P：字母大写时占上、中两格，且倾斜10度左右，小写字母p的上端略高于第二线，约占第一格的三分之一，下端紧贴第四线。Q：字母大写时占上、中两格，且倾斜10度左右，小写字母q在中、下两格。R：字母大写时占上、中两格，小写字母r的收笔处不可多加一个弯。S：字母大写时占上、中两格，且倾斜10度左右，小写字母s在中格。T：字母大写时占上、中两格，且倾斜10度左右，小写字母t的上端在第一格中间，短横重合第二线U：字母大写时占上、中两格，且倾斜10度左右，小写字母u在中格。V：字母大写时占上、中两格，小写字母v同样占上、中两格。W：字母大写时占上、中两格，且倾斜10度左右，小写字母w在中格。X：字母大写时占上、中两格，小写字母x占中格。Y：字母大写时占上、中两格，且倾斜10度左右，小写字母y笔画的顶端要紧贴第二线，下端要紧贴第四线，不可离线也不可出格。Z：字母大写时占上、中两格，且倾斜10度左右，小写字母z占中格。

我是言西老师，英文单词的规范书写是考试的一个硬性要求，希望引起家长的重视。如果有想跟着老师学习的同学，我建议大家从我的第一个视频看起，我们学习英语，一定要打好基础，这样我们后面学习起来才会事半功倍。

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